Η Samsung Electronics, Maailman johtava edistyneen muistiteknologian valmistaja, ilmoitti mobiilin DRAMin massatuotanto suurimmalla kapasiteetilla.
Η uusi mobiili DRAM on ensimmäinen 4X kokoinen ala 12 gigatavua (GB), pieni teho, kaksoisdatanopeus (LPDDR4X) - optimoitu huomisen premium-älypuhelimille. Uuden mobiili-DRAM-muistin kapasiteetti on suurempi kuin useimmissa erittäin ohuissa kannettavissa, ja sen avulla käyttäjät voivat hyödyntää kaikki seuraavan sukupolven älypuhelimen ominaisuudet.
"Uuden LPDDR4X:n massatuotannon käynnistämisen myötä Samsung täydentää täyden valikoiman kehittyneitä muistituotteita, jotka edistävät älypuhelimien uutta aikakautta, mukaan lukien tallennusratkaisut 12 Gt:n mobiili DRAMista 512 Gt:n eUFS 3:een", sanoo varatoimitusjohtaja Sewon Chun. Samsung Electronicsin muistimarkkinoinnin johtaja. "Lisäksi LPDDR4X:n avulla vahvistamme asemaamme huippuluokan mobiilimuistin valmistajana palvellaksemme tehokkaasti älypuhelinvalmistajien nopeasti kasvavaa kysyntää maailmanlaajuisesti."
12 Gt:n mobiili-DRAM-muistin ansiosta älypuhelinvalmistajat voivat maksimoida laitteiden, joissa on yli viisi kameraa, jatkuvasti kasvava näyttökoko sekä tekoäly (AI) ja 5G-toiminnot, ominaisuudet. Uuden 12 Gt:n DRAM-muistin ansiosta älypuhelinten käyttäjät voivat suorittaa monia tehtäviä samanaikaisesti ja saumattomasti, etsiä nopeammin, navigoida vaivattomasti useiden sovellusten välillä erittäin suurilla ja korkeamman resoluution näytöillä. Lisäksi sen ohut muotoilu (vain 1.1 mm) palvelee älypuhelimien tyylikästä ja yksinkertaista muotoilua.
12 Gt:n kapasiteetti saavutettiin kuuden (6) 4 gigabitin LPDDR16X-sirun yhdistelmällä, jotka perustuvat toisen sukupolven 10nm (1y-nm) prosessointiin, yhdessä paketissa, mikä vapauttaa enemmän tilaa älypuhelimen akulle. Lisäksi Samsungin 1y-nm-teknologiaa hyödyntävä uusi 12 Gt:n mobiilimuisti varmistaa tiedonsiirtonopeudet jopa 34.1 Gt sekunnissa ja vähentää samalla DRAM-kapasiteetin kasvusta johtuvaa väistämätöntä virrankulutuksen kasvua.
Siitä lähtien, kun 1 Gt:n mobiili DRAM julkaistiin vuonna 2011, Samsung on jatkanut mobiili-DRAM-markkinoiden kehityksen kärjessä: 6 Gt:n mobiili DRAM julkaistiin vuonna 2015, 8 Gt vuonna 2016 ja ensimmäinen 12 Gt:n LPDDR4X. Samsung aikoo yli kolminkertaistaa Korean huippuluokan muistin tuotantolinjan 8 Gt ja 12 Gt:n mobiili-DRAM-muistien tarjonnan 1 vuoden 2019 toisella puoliskolla vastatakseen odotettuun suureen kysyntään.
Samsungin mobiili DRAM -tuotantoaikataulu: Massatuotanto
| päiväys | Kapasiteetti | Mobiili DRAM |
| Helmikuu 2019 | 12GB | 1v-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| heinäkuu 2018 | 8GB | 1v-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Huhtikuu 2018 | 8 Gt (kehitys) | 1x nm 8Gb LPDDR5, 6400 Mb/s |
| Syyskuu 2016 | 8GB | 1x-nm 16 Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s |
| elokuu 2015 | 6GB | 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
| joulukuuta 2014 | 4GB | 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
| Syyskuu 2014 | 3GB | 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Marraskuu. 2013 | 3GB | 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| heinäkuu 2013 | 3GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Huhtikuu 2013 | 2GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| elokuu 2012 | 2GB | 30nm-luokan 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
| 2011 | 1 / 2GB | 30nm-luokan 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
| 2010 | 512MB | 40nm-luokan 2Gb MDDR, 400Mb/s |
| 2009 | 256MB | 50nm-luokan 1Gb MDDR, 400Mb/s |
ΜÄlä unohda liittyä (rekisteröityä) foorumiimme, jonka voit tehdä erittäin helposti seuraavalla painikkeella…
(Jos sinulla on jo tili foorumillamme, sinun ei tarvitse seurata rekisteröintilinkkiä)
Seuraa meitä Telegramissa!
